மிக மெல்லிய படலத்தில் அணுக்களை மாற்றி டிரான்சிஸ்டர் பாகங்களை உருவாக்கிய கொரியக் குழு

சிறிய மின்னணு சுவிட்சுகளை நோக்கிய 0.7 நானோமீட்டர் முன்னேற்றம்

தென் கொரிய ஆய்வாளர்கள், தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட அணுக்களை மாற்றுவதன் மூலம் ஒரே மெல்லிய படலத்துக்குள் டிரான்சிஸ்டரின் முக்கியப் பாகங்களை உருவாக்கியுள்ளனர். இதன் மூலம், அறை வெப்பநிலையில் வழக்கமான டிரான்சிஸ்டர்களுக்கான கோட்பாட்டு வரம்பை நெருங்கும் அளவுக்கு மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த முடிந்துள்ளது. சுமார் 0.7 நானோமீட்டர் தடிமனுள்ள அடுக்குகளில் இந்த நுட்பம் செயல்படுகிறது. மிகச் சிறிய மின்னணுச் சாதனங்களை உருவாக்குவதையும் இது எளிதாக்கக்கூடும்.

அடிப்படை அறிவியலுக்கான வான் டெர் வால்ஸ் குவாண்டம் திடப்பொருள்கள் மையத்தின் இயக்குநரும், போஹாங் அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்பப் பல்கலைக்கழகத்தின் சிறப்புப் பேராசிரியருமான சோ மூன்-ஹோ தலைமையிலான குழு, டங்ஸ்டன் டைசெலினைடுடன் பணியைத் தொடங்கியது. அதிலுள்ள செலினியம் அணுக்களை ஆக்சிஜன், சல்பர் அல்லது டெல்லூரியத்தால் மாற்றி, மின்காப்புப் பகுதிகள், மின்னோட்டத்தைக் கடத்தும் பகுதிகள், அல்லது குறைக்கடத்திக்குள் மின்னோட்டம் நுழைய உதவும் பகுதிகளை ஆய்வாளர்கள் உருவாக்கினர்.

இதன் விளைவாக உருவான டிரான்சிஸ்டரில், மின்னோட்டத்தைப் பத்து மடங்கு அதிகரிக்க கேட் மின்னழுத்தத்தை 61.3 மில்லிவோல்ட் மாற்ற வேண்டியிருந்தது. அறை வெப்பநிலையில் இதற்கான கோட்பாட்டு குறைந்தபட்சம் சுமார் 60 மில்லிவோல்ட் ஆகும். இயக்கப்பட்ட நிலையில் அதன் மின்னோட்டம், அணைக்கப்பட்ட நிலையில் இருந்த மின்னோட்டத்தைவிட 10 மில்லியன் மடங்குக்கும் அதிகமாக இருந்தது.

செங்குத்தாக அடுக்கப்பட்ட டிரான்சிஸ்டர்களைக் கொண்டு சிறிய சுற்றையும் ஆய்வாளர்கள் உருவாக்கினர். அது 1 வோல்ட்டில் மின்சமிக்ஞையைத் தலைகீழாக்கியது. துல்லியமாகக் கட்டுப்படுத்தப்படும் தனிப்பட்ட பொருள் அடுக்குகளைச் செயல்படும் சுற்றுடன் இந்த முடிவுகள் இணைக்கின்றன. குறைக்கடத்தி உற்பத்திக்கு இதை விரிவுபடுத்துவதே அடுத்த முக்கியப் பணியாக உள்ளது.

இந்தப் பொருட்களை ஒன்றிணைப்பது ஏன் கடினம்

டிரான்சிஸ்டர் என்பது மின்சாரத்தால் கட்டுப்படுத்தப்படும் சுவிட்ச் ஆகும். அதற்கு மின்னோட்டம் பாயும் குறைக்கடத்தி வழி, அந்த வழியைக் கேட் கட்டுப்படுத்த அனுமதிக்கும் மின்காப்பு அடுக்கு, சாதனத்தைச் சுற்றின் மற்ற பகுதிகளுடன் இணைக்கும் மின்முனைகள் ஆகியவை தேவை. ஒவ்வொரு பாகத்துக்கும் தனித்த பணி இருப்பதால், அவற்றின் எல்லைகள் சிறப்பாகச் செயல்படுவது அவசியம்.

இருபரிமாணப் பொருள்கள் எனக் குறிப்பிடப்படும் குறைக்கடத்திகள், சில அணு அடுக்குகள் மட்டுமே தடிமனாக இருந்தாலும் பயனுள்ளதாக இருக்கின்றன. ஆனால் அவற்றின் மேற்பரப்புகள் பிற பொருட்களுடன் வேதிப் பிணைப்புகளை எளிதில் உருவாக்குவதில்லை. இதனால் அவற்றின் மீது சீரான மின்காப்புப் படலத்தைப் பூசுவது கடினமாகிறது. உலோக மின்முனைகளை நேரடியாகப் பொருத்துவதும் தொடர்புப் பரப்பைச் சேதப்படுத்தலாம் அல்லது மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்தும் மின்தடையை ஏற்படுத்தலாம்.

தனித்தனியாகத் தயாரிக்கப்பட்ட படலங்களை இடமாற்றி அடுக்குவது மற்றொரு வழியாகும். ஆனால் இது உற்பத்திப் படிகளைக் கூட்டுகிறது. அதற்குப் பதிலாக, தொடக்கப் படலத்துக்குள்ளேயே தேவையான பல பொருட்களை கொரியக் குழு உருவாக்கியது. இதனால் வெவ்வேறு படலங்களை ஒன்றாகக் கொண்டுவர வேண்டிய தேவை குறைந்தது.

மூன்று மாற்று அணுக்கள், மூன்று வெவ்வேறு பணிகள்

WSe2 என எழுதப்படும் டங்ஸ்டன் டைசெலினைடில், மேல் மற்றும் கீழ்ப் பக்கங்களில் செலினியம் அணுக்களும், அவற்றுக்கு இடையில் டங்ஸ்டன் அணுக்களின் ஓர் அடுக்கும் உள்ளன. டங்ஸ்டனை அப்படியே வைத்துக்கொண்டு, செலினியத்தை மட்டும் தேர்ந்தெடுத்து ஆய்வாளர்கள் மாற்றினர். சுற்றியுள்ள அணுக்களை மாற்றியதால், ஒவ்வொரு பகுதிக்கும் வேறுபட்ட மின் பண்புகள் கிடைத்தன.

ஆக்சிஜன், மின்காப்பியான டங்ஸ்டன் ஆக்சைடை உருவாக்கியது. சல்பர், n-வகை குறைக்கடத்தியான டங்ஸ்டன் டைசல்பைடை உருவாக்கியது. டெல்லூரியம், உலோக மின்முனைக்கும் குறைக்கடத்திக்கும் இடையிலான இணைப்பில் பயன்படுத்தப்பட்ட கடத்தும் அரை உலோகமான டங்ஸ்டன் டைடெல்லுரைடை உருவாக்கியது.

• மாற்றப்படாத டங்ஸ்டன் டைசெலினைடு, p-வகை குறைக்கடத்திப் பகுதியாகச் செயல்பட்டது.
• டங்ஸ்டன் ஆக்சைடு, கேட் கட்டுப்பாட்டுக்கான மின்காப்பை வழங்கியது.
• நிரப்பு வகைச் சாதனங்களுக்கான n-வகை குறைக்கடத்தியை டங்ஸ்டன் டைசல்பைடு வழங்கியது.
• மின்முனைக்கும் குறைக்கடத்திக்கும் இடையே மின்னூட்டம் நகர டங்ஸ்டன் டைடெல்லுரைடு உதவியது.

p-வகை, n-வகை என்ற சொற்கள் குறைக்கடத்தியில் மின்னூட்டம் எவ்வாறு நகர்கிறது என்பதைக் குறிக்கின்றன. n-வகைப் பொருளில் எலக்ட்ரான்கள் மின்னோட்டத்தைக் கடத்துகின்றன. p-வகைப் பொருளில், எலக்ட்ரான்கள் இல்லாத இடங்களில் எஞ்சியிருக்கும் நேர்மின்னூட்ட வெற்றிடங்களான துளைகளின் நகர்வின் அடிப்படையில் மின்னோட்டம் விவரிக்கப்படுகிறது. குழு காட்டிய நிரப்பு வகைச் சுற்றுக்கு இரு வகைகளும் தேவை.

அடுக்கையும் இடத்தையும் குழு எவ்வாறு தேர்ந்தெடுத்தது

வெப்பநிலையும் வினை வாயுவின் அழுத்தமும், வேதியியல் மாற்றம் படலத்துக்குள் எவ்வளவு ஆழம் செல்லும் என்பதைக் கட்டுப்படுத்த ஆய்வாளர்களுக்கு உதவின. பொருள் அடுக்குகளுக்கு இடையிலான மிகச் சிறிய இடைவெளிகளை, வினைபுரியும் அணுக்களின் நகர்வைக் கட்டுப்படுத்தும் தடைகளாகப் பயன்படுத்தினர். இதனால் மாற்றம் அடுத்த அடுக்குக்குப் பரவாமல் தடுக்கப்பட்டது.

கட்டுப்படுத்தப்பட்ட ஒவ்வொரு படியும் சுமார் 0.7 நானோமீட்டர் தடிமனுள்ள அணு அடுக்குக்கு ஒத்திருந்தது. ஒரு நானோமீட்டர் என்பது ஒரு மீட்டரில் நூறு கோடியில் ஒரு பங்கு. மாற்றப்படும் பொருள் அடுக்கின் தடிமனையே இந்த அளவு குறிக்கிறது. படலத்தின் மேற்பரப்பில் எந்த இடத்தில் மாற்றம் நிகழ்கிறது என்பதையும் தயாரிப்பு முறையில் கட்டுப்படுத்த வேண்டியிருந்தது.

குறைக்கடத்தி செயலாக்கத்தில் பயன்படுத்தப்படும் முகமூடிகள், இந்த இரண்டாவது வகைக் கட்டுப்பாட்டை வழங்கின. துல்லியமாக வடிவமைக்கப்பட்ட உறையைப் போல, ஒரு முகமூடி தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட பகுதிகளை வெளிப்படுத்தி, பிற பகுதிகளைப் பாதுகாக்கிறது. எதிர்வினையின் ஆழத்தைக் கட்டுப்படுத்துவதுடன் முகமூடிகளையும் இணைத்ததால், ஒரே படலத்துக்குள் தேர்ந்தெடுத்த இடங்களிலும் அடுக்குகளிலும் வெவ்வேறு பொருட்களை ஆய்வாளர்களால் உருவாக்க முடிந்தது.

மின்னோட்டம் நுழையும் இடத்தில் குறைந்த தடுப்பு

டங்ஸ்டன் டைடெல்லுரைடு தொடர்புப் பகுதி, டிரான்சிஸ்டரை இயக்குவதிலிருந்து வேறுபட்ட ஒரு சிக்கலைத் தீர்த்தது: குறைக்கடத்திக்குள் மின்னூட்டம் திறம்பட நுழைவதை உறுதிசெய்வது. கேட் கட்டுப்பாட்டுக்கு நன்றாகப் பதிலளிக்கும் ஒரு வழி இருந்தாலும், அதன் மின் இணைப்புகள் மின்னூட்டப் பரிமாற்றத்தைச் சிரமமாக்கினால் சாதனத்தின் செயல்திறன் குறையலாம்.

மின்முனைக்கும் குறைக்கடத்திக்கும் இடையிலான இணைப்பில் 35.5 மில்லிஎலக்ட்ரான் வோல்ட் ஆற்றல் தடுப்பை ஆய்வாளர்கள் அளந்தனர். நேரடியாகப் பொருத்தப்பட்ட உலோக மின்முனையுடன் ஒப்பிடுகையில் இது சுமார் மூன்றில் ஒரு பங்கு என அவர்கள் தெரிவித்தனர். ஆற்றல் தடுப்பு என்பது பொருட்களுக்கு இடையே கடக்கும்போது மின்னூட்டக் கடத்திகள் கடக்க வேண்டிய தடையாகும்.

ஒப்பீட்டளவில் கூறினால், மூன்றில் ஒரு பங்காகக் குறைக்கப்பட்ட தடுப்பு சுமார் 67 சதவீதம் குறைவாகும். அளவிடப்பட்ட இந்த முன்னேற்றம் தொடர்புப் பகுதியில் மின்னூட்டம் கடத்தப்படுவதைப் பற்றியது. முழுச் சுற்றின் மின் நுகர்வு அதன் இயக்க மின்னழுத்தம், கசிவு மின்னோட்டம், மாறுதல் செயல்பாடு ஆகியவற்றையும் சார்ந்துள்ளது.

அறை வெப்பநிலை வரம்பை நெருங்கிய மாறுதல்

டிரான்சிஸ்டரின் 61.3 மில்லிவோல்ட் அளவீடு, கேட் மின்னழுத்தம் மாறும்போது அது எவ்வளவு கூர்மையாக மாறுகிறது என்பதைக் குறிக்கிறது. இதை பொறியாளர்கள் சப்த்ரெஷ்ஹோல்ட் ஸ்விங் என அழைக்கின்றனர். சாதனம் மின்கடத்தும் நிலையை நோக்கி நகரும்போது, மின்னோட்டத்தைப் பத்து மடங்காக மாற்றத் தேவையான கேட் மின்னழுத்த மாற்றமே இது.

அளவு குறைவாக இருந்தால், சிறிய மின்னழுத்த மாற்றமே மின்னோட்டத்தில் பெரிய மாற்றத்தை ஏற்படுத்தும். வழக்கமான டிரான்சிஸ்டர் செயல்பாட்டுக்கான அறை வெப்பநிலை தோராயமான வரம்பான 60 மில்லிவோல்ட்டுடன் ஒப்பிடுகையில், அளவிடப்பட்ட மதிப்பு அதைவிட 1.3 மில்லிவோல்ட் மட்டுமே அதிகம்; அதாவது அந்த அளவுகோலைவிட சுமார் 2.2 சதவீதம் அதிகம்.

இயக்கப்பட்ட மற்றும் அணைக்கப்பட்ட நிலைகளின் மின்னோட்ட விகிதம் 10 மில்லியனுக்கு ஒன்று என்பதைவிட அதிகமாக இருந்தது. மின்னோட்டம் பாயும் மற்றும் பாயாத நிலைகளைச் சாதனம் எவ்வளவு வலுவாக வேறுபடுத்துகிறது என்பதை இது அளவிடுகிறது. அணைக்கப்பட்ட நிலையில் குறைந்த மின்னோட்டம் இருப்பது முக்கியம்; ஏனெனில் செயலற்ற டிரான்சிஸ்டர்களில் கசியும் மின்சாரம் ஆற்றலை வீணாக்குகிறது.

தொடர்புத் தடுப்பு, மாறுதல் பதிலளிப்பு, மின்னோட்ட விகிதம் ஆகியவை சாதனத்தின் செயல்திறனுடன் தொடர்புடைய மூன்று அம்சங்களை விவரிக்கின்றன. மின்னூட்டம் உள்ளே நுழைய தொடர்பு உதவுகிறது; அதன் ஓட்டத்தை கேட் கட்டுப்படுத்துகிறது; இயக்கப்பட்ட மற்றும் அணைக்கப்பட்ட நிலைகளுக்கிடையிலான மின்னோட்ட வேறுபாடு டிரான்சிஸ்டர் சுவிட்சாக எவ்வளவு திறம்படச் செயல்படுகிறது என்பதைக் காட்டுகிறது.

கேட்டுக்கு நெருக்கமான கட்டுப்பாட்டை வழங்கும் மின்காப்பு

டங்ஸ்டன் ஆக்சைடு பகுதி மின்காப்பு அடுக்காகச் செயல்பட்டது. இந்த அடுக்கு, மின்னோட்ட வழியிலிருந்து கேட்டைப் பிரித்துவைத்தபடியே, அதன் மின்புலம் மின்னோட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த அனுமதிக்க வேண்டும். தொடக்கப் பொருளின் ஒரு பகுதியை மாற்றி இந்த அடுக்கை உருவாக்குவது, இருபரிமாணக் குறைக்கடத்தி மீது சீரான பூச்சைப் படியவைப்பதில் உள்ள சிரமத்தைத் தீர்க்கிறது.

அவற்றின் மின்காப்பு, 1 நானோமீட்டர் அல்லது அதற்குக் குறைவான இணையான ஆக்சைடு தடிமன் என்ற சாதனங்கள் மற்றும் அமைப்புகளுக்கான சர்வதேச சாலைவரைபடத்தின் இலக்கை எட்டுவதாகக் குழு தெரிவித்தது. இணையான ஆக்சைடு தடிமன் (EOT) என்பது, அதே மின்தேக்குத்திறன் கொண்ட குறிப்பு சிலிக்கான் டைஆக்சைடு அடுக்கின் தடிமனாகக் கணக்கிட்டு, மின்காப்பின் மின் செயல்திறனை வெளிப்படுத்தும் அளவீடாகும்.

எனவே, EOT என்பது பொருளின் இயற்பியல் தடிமனை மட்டும் அல்லாமல் அதன் மின் நடத்தையையும் விவரிக்கிறது. EOT 1 நானோமீட்டருக்குக் குறைவு என ஆய்வாளர்கள் தெரிவித்தனர்; வெளியிடப்பட்ட எண் விவரங்களில் 0.3 முதல் 0.4 நானோமீட்டர் வரையிலான அளவும், சுமார் 1 நானோமீட்டர் என்ற அளவும் இடம்பெற்றிருந்தன. இந்த விவரிப்புகளில் சரியான மதிப்பு தெளிவாகவில்லை. எனினும், அனைத்தும் மின்காப்பு அந்தச் சாலைவரைபட இலக்கை எட்டியதாகவோ அதற்குள் இருந்ததாகவோ காட்டுகின்றன.

1 வோல்ட்டில் இயங்கிய அடுக்குச் சுற்று

ஒரு டிரான்சிஸ்டரை மட்டும் சோதிப்பதுடன் நிற்காமல், p-வகை டிரான்சிஸ்டரையும் n-வகை டிரான்சிஸ்டரையும் செங்குத்தாக அடுக்கி, நிரப்பு வகை இன்வெர்ட்டரை ஆய்வாளர்கள் உருவாக்கினர். இன்வெர்ட்டர் என்பது அடிப்படை டிஜிட்டல் சுற்று: உயர் உள்ளீடு குறைந்த வெளியீட்டையும், குறைந்த உள்ளீடு உயர் வெளியீட்டையும் உருவாக்கும்.

இந்தச் சுற்று 1 வோல்ட் இயக்க மின்னழுத்தத்தில் சமிக்ஞைகளைத் தலைகீழாக்கியது. இதை உருவாக்குவதற்கு வெவ்வேறு குறைக்கடத்தி வகைகள் ஒன்றாகச் செயல்பட வேண்டியிருந்தது. இதன் மூலம், பொருளை மாற்றும் முறை டிஜிட்டல் மின்னணுவியலில் பயன்படும் அடிப்படைச் செயல்பாட்டுடன் இணைக்கப்பட்டது.

செங்குத்தான கட்டமைப்பு, முப்பரிமாண ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளை உருவாக்கும் குழுவின் திட்டங்களுடனும் இந்தச் சோதனையை இணைக்கிறது. பொருட்களையும் செயலாக்கத்தையும் அடுக்கு முழுவதும் கட்டுப்படுத்த முடிந்தால், சாதனங்களை ஒன்றன்மேல் ஒன்றாக அமைப்பதன் மூலம் அதே பரப்பளவில் அதிக சுற்றுகளைப் பொருத்தலாம்.

அடிப்படை அறிவியலுக்கான மையத்தின் இயக்குநரும், போஹாங் அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்பப் பல்கலைக்கழகத்தின் சிறப்புப் பேராசிரியருமான சோ, பொருள் நுட்பத்துக்கும் சாதனத் தயாரிப்புக்கும் இடையிலான தொடர்பை இவ்வாறு விவரித்தார்:

இந்த ஆய்வு, அணு அளவிலான பொருள் கையாளுதல் என்ற அடிப்படைப் பொருள் அறிவியல் நுட்பத்தை நவீன குறைக்கடத்தித் தொழில்நுட்பத்துடன் ஒருங்கிணைக்கிறது,

வெளியீடும் பெரிய செதில்களை நோக்கிய முன்னேற்றமும்

ஆய்வுக் கட்டுரையின் தலைப்பு, அடுக்கடுக்கான சால்கோஜன் மாற்றீடுகள் மூலம் உருவாக்கப்படும் தொகுதிவகை வான் டெர் வால்ஸ் MOSFETகள் என்பதாகும். மின்காப்பு கேட் மூலம் கட்டுப்படுத்தப்படும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் டிரான்சிஸ்டர் குடும்பத்தின் பெயரே MOSFET. ஆக்சிஜன், சல்பர், செலினியம், டெல்லூரியம் ஆகியவை அடங்கிய வேதியியல் குடும்பமே சால்கோஜன்கள்; இந்த மாற்றீடுகளில் இடம்பெற்ற மையத் தனிமங்கள் இவையே.

அறிவிப்பு மற்றும் வெளியீட்டுத் தேதிகள் பின்வருமாறு குறிப்பிடப்பட்டன:

• 2026 அக்டோபர் 15: தொகுதிவகை டிரான்சிஸ்டர் ஆய்வை அறிவியல் மற்றும் தகவல் தொடர்புத் தொழில்நுட்ப அமைச்சகம் அறிவித்ததாகக் குறிப்பிடப்பட்டது.
• 2026 அக்டோபர் 16, கொரிய நேரப்படி அதிகாலை 3 மணி: அறிவியல் இதழில் வெளியீடு இந்த நேரத்தில் இடம்பெற்றதாக அமைச்சகம் குறிப்பிட்டது. மற்ற விவரிப்புகளில் பொதுவெளி அறிவிப்பு அக்டோபர் 16 எனத் தெரிவிக்கப்பட்டது.

அடுத்த கட்டமாக, இந்த முறையைப் பிற இருபரிமாணக் குறைக்கடத்திகளுக்குப் பயன்படுத்தி, பல குறைக்கடத்திச் சாதனங்களை ஒரே நேரத்தில் தயாரிக்கப் பயன்படும் அகன்ற அடித்தளங்களான செதில்கள் முழுவதும் விரிவுபடுத்துவது திட்டமாகும். தொழில்துறைப் பயன்பாட்டுக்கு, அந்தப் பரப்புகள் முழுவதும் அணு மாற்றீடு சீராகவும் மீண்டும் உருவாக்கக்கூடியதாகவும் இருக்க வேண்டும். உற்பத்திப் பயன்பாட்டுக்கான கால அட்டவணை எதுவும் தெரிவிக்கப்படவில்லை.

குழு நாடும் நடைமுறை மாற்றம் தெளிவானது: தனித்தனி படலங்களை மீண்டும் மீண்டும் இடமாற்றி இணைப்பதற்குப் பதிலாக, பயனுள்ள பொருட்களை அவை தேவைப்படும் இடத்திலேயே உருவாக்குவது. பெரிய அளவில், சோதனைச் சாதனங்களில் அளவிடப்பட்ட நெருக்கமான கேட் கட்டுப்பாட்டையும் மேம்பட்ட தொடர்புகளையும் தக்கவைத்தபடி, இது ஒன்றிணைப்பு சிக்கலைக் குறைக்கக்கூடும்.

அறிவியல் மற்றும் தகவல் தொடர்புத் தொழில்நுட்ப அமைச்சகத்தின் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டுக் கொள்கைப் பிரிவு இயக்குநர் கிம் சோங்-சு, அடிப்படை மற்றும் அடித்தள ஆராய்ச்சிகளுக்கு அரசு தொடர்ந்து ஆதரவளிக்கும் என்றும், அதன் மூலம் புதிய தொழில்நுட்பங்கள் தென் கொரியாவின் தொழில்துறைப் போட்டித்திறனுக்குப் பங்களிக்கும் என்றும் கூறினார். பெரிய செயலாக்கப் பரப்புகள், கூடுதல் பொருட்கள், அடுக்கப்பட்ட ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் ஆகியவற்றில் ஆய்வாளர்கள் அடுத்தகட்டப் பணிகளை மேற்கொள்வார்கள்.

முக்கிய அம்சங்கள்

• டங்ஸ்டன் டைசெலினைடில் உள்ள செலினியம் அணுக்களைத் தேர்ந்தெடுத்து மாற்றி, டிரான்சிஸ்டரின் முக்கியப் பாகங்களை கொரியக் குழு உருவாக்கியது.
• சுமார் 0.7 நானோமீட்டர் தடிமனுள்ள அடுக்குகளிலும், தேர்ந்தெடுத்த மேற்பரப்பு இடங்களிலும் மாற்றத்தை வெப்பநிலை, வாயு அழுத்தம், முகமூடிகள் ஆகியவை கட்டுப்படுத்தின.
• தொடர்பு ஆற்றல் தடுப்பு 35.5 மில்லிஎலக்ட்ரான் வோல்ட்டாகக் குறைந்தது; இது நேரடி உலோகத் தொடர்பில் உள்ள மதிப்பின் சுமார் மூன்றில் ஒரு பங்கு.
• கேட் மின்னழுத்தத்தை 61.3 மில்லிவோல்ட் மாற்றியபோது மின்னோட்டம் பத்து மடங்கானது. இது அறை வெப்பநிலைக்கான தோராயமான 60 மில்லிவோல்ட் வரம்பை நெருங்கியது.
• இயக்கப்பட்ட மற்றும் அணைக்கப்பட்ட நிலைகளுக்கிடையிலான மின்னோட்ட விகிதம் 10 மில்லியனுக்கு ஒன்று என்பதைவிட அதிகமாக இருந்தது.
• செங்குத்தாக அடுக்கப்பட்ட நிரப்பு வகை இன்வெர்ட்டர் 1 வோல்ட்டில் சமிக்ஞைகளைத் தலைகீழாக்கியது.
• தொழில்துறைப் பயன்பாட்டுக்கான அடுத்த தேவை, குறைக்கடத்திச் செதில்கள் முழுவதும் சீரான செயலாக்கமாகும்.