2026ஆம் ஆண்டில் 4F2 சர்வர் நினைவகத்தை அறிமுகப்படுத்த CXMT இலக்கு; 2028 உற்பத்தியை நோக்கும் சாம்சங்

சிறிய நினைவக செல்; லட்சியமிக்க காலக்கெடு

சீனாவின் மிகப்பெரிய நினைவகச் சிப் தயாரிப்பு நிறுவனமான ChangXin Memory Technologies (CXMT), 4F2 DRAM கட்டமைப்பைப் பயன்படுத்தும் DDR5 பதிவு செய்யப்பட்ட சர்வர் நினைவகத்தை 2026ஆம் ஆண்டின் இறுதிக்குள் அறிமுகப்படுத்தத் திட்டமிட்டுள்ளது. அக்டோபர் 10ஆம் தேதி ஷாங்காயில் நடைபெற்ற நான்காவது ஒருங்கிணைந்த சுற்று மற்றும் சிப்லெட் மாநாட்டில் நிறுவனத்தின் தலைவர் காவ் கான்யு இந்தத் திட்டத்தை வெளியிட்டார். இதன் மூலம் Samsung Electronics, SK hynix, Micron ஆகியவற்றுடன் போட்டியிடும் நிறுவனத்தின் முயற்சிக்கு ஒரு குறிப்பிட்ட தயாரிப்பும் காலக்கெடும் நிர்ணயிக்கப்பட்டுள்ளன.

இந்தக் கட்டமைப்பு, ஒவ்வொரு நினைவகச் செல்லும் ஆக்கிரமிக்கும் பரப்பளவைப் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் 6F2 வடிவமைப்பிலிருந்து 4F2 ஆகக் குறைக்கிறது. அம்ச அளவு குறைந்தபட்சமாக ஒரே அளவில் இருக்கும்போது, இது செல் பரப்பளவில் கோட்பாட்டளவில் மூன்றில் ஒரு பங்கு குறைப்பைக் குறிக்கிறது. இதனால் ஒரு சிப்பில் அதிக நினைவகத்தைப் பொருத்த முடியும். எனினும், இறுதித் தயாரிப்பில் கிடைக்கும் ஆதாயம் சுற்றமைப்புகள், உற்பத்தி முடிவுகள் மற்றும் பிற வடிவமைப்புத் தேவைகளைப் பொறுத்திருக்கும்.

சாம்சங் பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்கும் எனக் கூறப்படும் 2028 இலக்குக்கு சுமார் இரண்டு ஆண்டுகள் முன்பே CXMTயின் காலக்கெடு வருகிறது. இது மட்டும் உற்பத்தியில் இரண்டு ஆண்டுகள் முன்னிலை பெற்றதற்கான ஆதாரம் அல்ல. ஒரு தயாரிப்பை அறிமுகப்படுத்துவதும், அதை நம்பகமாகப் பெருமளவில் உற்பத்தி செய்வதும் வெவ்வேறு மைல்கற்கள். திட்டமிட்ட சர்வர் நினைவகத்தின் விரிவான விவரக்குறிப்புகள், துல்லியமான வெளியீட்டுத் தேதி அல்லது உற்பத்தி விளைச்சல் விகிதம் ஆகியவற்றை CXMT வெளியிடவில்லை.

சீன DRAM வழங்குநர்கள் ஏற்கெனவே கால் பதித்துள்ள நுகர்வோர் சாதனங்களை விட, நிறுவனங்களின் சர்வர்களை இலக்காகக் கொண்டிருப்பதால் இந்த அறிவிப்பு முக்கியத்துவம் பெறுகிறது. சர்வர் வாடிக்கையாளர்களுக்கு நீண்டகாலம் நம்பகமாகச் செயல்படும் நினைவகம் தேவை. எனவே, சிறிய செல் வடிவமைப்பை நிரூபிப்பது மட்டுமல்லாமல், வணிக ரீதியான ஏற்றுக்கொள்ளுதலையும் தனியாகச் சோதிக்க வேண்டியிருக்கும்.

ஷாங்காயில் காவ் அறிவித்தது என்ன?

ஆங்கிலச் செய்திகளில் Chao Kanyu என்றும் குறிப்பிடப்படும் காவ் கான்யு, CXMTயின் புதிய கட்டமைப்புக்கான முதல் தயாரிப்புப் பயன்பாடு சர்வர் நினைவகமாக இருக்கும் என்றார். ஷாங்காய் மாநாட்டில் திட்டமிட்டுள்ள வெளியீட்டை அவர் இவ்வாறு விவரித்தார்:

4F2 DRAM கட்டமைப்பை உள்ளடக்கிய அடுத்த தலைமுறை DDR5 RDIMM சர்வர் நினைவகத்தை ஆண்டின் இறுதிக்குள் அறிமுகப்படுத்துவோம்.

RDIMM என்பது பதிவு செய்யப்பட்ட இரட்டை இன்லைன் நினைவகத் தொகுதியைக் குறிக்கிறது. கட்டளை மற்றும் முகவரிச் சிக்னல்களை இடையகப்படுத்த இந்தத் தொகுதிகள் ஒரு பதிவகத்தைப் பயன்படுத்துகின்றன. இதன் மூலம் அதிகத் தேவையுள்ள நினைவக உள்ளமைவுகளை சர்வர்கள் கையாள முடிகிறது. DDR5 என்பது நினைவகத்தின் தலைமுறையைக் குறிக்கிறது; 4F2 என்பது அதன் அடிப்படை செல் அமைப்பைக் குறிக்கிறது. எனவே, இந்த அறிவிப்பு DDR5 தரநிலைக்கு மாற்றாக வருவதைப் பற்றியது அல்ல; பரிச்சயமான சர்வர் நினைவக வகைக்குள் உள்ள சிப்புகளை உருவாக்கும் புதிய முறையைப் பற்றியது.

முக்கிய உற்பத்திப் படிகளை மறுவடிவமைத்து, செங்குத்து சுற்றிவளைக்கும் கேட் டிரான்சிஸ்டர் (VSG) ஒன்றைத் தாங்களே உருவாக்கியதாக CXMT தெரிவித்தது. முன்மொழியப்பட்ட செல் அமைப்பைத் தாண்டியும் இந்தப் பணிகள் விரிந்திருப்பதை இந்தக் கூற்றுகள் சுட்டுகின்றன. ஆனால் இந்தச் செயல்முறை எத்தனை பயன்பாட்டுக்குரிய சிப்புகளை உருவாக்குகிறது, உற்பத்தியை எவ்வளவு வேகமாக விரிவுபடுத்த முடியும் அல்லது சர்வர் வாடிக்கையாளர்கள் தகுதிச் சோதனையை முடித்துவிட்டார்களா என்பதற்கு அவை ஆதாரமல்ல.

காலக்கெடு குறித்து செய்தி அறிக்கைகள் வெவ்வேறு விதமாகக் கூறுகின்றன. சில அறிக்கைகள் ஆண்டின் இறுதியில் பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்கும் திட்டமாக இதை விவரிக்கின்றன; காவோவின் மேற்கோள் அறிக்கை தயாரிப்பு அறிமுகத்தை உறுதியளிக்கிறது. உற்பத்தி அளவுகள் வெளியிடப்படாத நிலையில், போட்டியாளர்களுடன் CXMTயை ஒப்பிடுவதற்கு இந்தக் குறுகிய தயாரிப்பு அறிமுக வாக்குறுதியே உறுதியான அடிப்படையாகும்.

DRAM சிப்பில் 4F2 எதை மாற்றுகிறது?

DRAM, தகவல்களைச் செல்களில் சேமிக்கிறது. அந்தத் தரவைத் தக்கவைத்துக்கொள்ள செல்களைத் தொடர்ந்து புதுப்பிக்க வேண்டும். செல் அளவைக் குறிக்கும் குறியீட்டில் F என்பது குறைந்தபட்ச அம்ச அளவைக் குறிக்கிறது; இது பொதுவாக குறைந்தபட்ச கோட்டின் அகலம் என விவரிக்கப்படுகிறது. 4F2 செல், 2F பெருக்கல் 2F என்பதற்குச் சமமான பரப்பளவை ஆக்கிரமிக்கிறது. இதற்கு மாறாக, 6F2 செல், F-ன் ஆறு சதுர அலகுகளுக்குச் சமமான இடத்தைப் பிடிக்கிறது.

இந்தக் கணக்கு லட்சியத்தின் அளவைப் புரிந்துகொள்ள உதவுகிறது. ஆறு பரப்பளவு அலகுகளிலிருந்து நான்காகக் குறைவது, செல் தடத்தை சுமார் 33% குறைக்கிறது. செல் பரப்பளவு மட்டுமே கணக்கில் எடுத்துக்கொள்ளப்பட்டால், ஆறை நான்கால் வகுத்தால் 1.5 வருவதால், அதே இடத்தில் 50% அதிக செல்களைப் பொருத்த முடியும். இந்த இரண்டு கணக்குகளில் எதையும் CXMTயின் இறுதித் தொகுதிகளின் கொள்ளளவு அல்லது வேகம் மேம்படும் என்ற உறுதிமொழியாகக் கருதக்கூடாது.

உண்மையான சிப்புகளுக்கு சுற்றியுள்ள மின்சுற்றுகள், இணைப்புகள் மற்றும் உற்பத்திக் கட்டுப்பாடுகளால் தீர்மானிக்கப்படும் இடமும் தேவை. நினைவகத்தின் வேகம், மின் நுகர்வு, நம்பகத்தன்மை ஆகியவை குறிப்பிட்ட பரப்பளவில் எத்தனை செல்களைப் பொருத்த முடியும் என்பதைக் காட்டிலும் பல அம்சங்களைச் சார்ந்துள்ளன. தற்போதைய சர்வர் DRAM உடன் ஒப்பிடுவதற்குத் தேவையான தயாரிப்பு அளவீடுகளை CXMT வெளியிடவில்லை.

முன்மொழியப்பட்ட VSG டிரான்சிஸ்டரில் சேனல் செங்குத்தாக அமைக்கப்பட்டு, கேட் அதைச் சுற்றி அமைகிறது. டிரான்சிஸ்டரில் மின்னோட்டம் செல்வதை கேட் கட்டுப்படுத்துகிறது. தேவையற்ற மின்னோட்டக் கசிவைக் குறைக்கவும் நினைவக அடர்த்தியை அதிகரிக்கவும் இந்த அமைப்பு உதவுவதாக CXMT கூறுகிறது. இதனால் மின்திறன் மேம்பட வாய்ப்புள்ளது.

நினைவக செல்களையும் சுற்றியுள்ள லாஜிக் சுற்றுகளையும் தனித்தனியாக மேம்படுத்த ஹைப்ரிட் பாண்டிங்கையும் CXMT ஆராய்ந்து வருகிறது. மிக நுண்ணிய மின் இணைப்புகள் மூலம் குறைக்கடத்தி அமைப்புகளை இணைப்பதே ஹைப்ரிட் பாண்டிங் ஆகும். சேமிப்புக் கட்டமைப்புக்கும் அதற்குத் துணைபுரியும் மின்சுற்றுகளுக்கும் கூடுதல் வடிவமைப்பு நெகிழ்வுத்தன்மையை வழங்குவதே இதன் நோக்கம் எனக் கூறப்படுகிறது. எனினும், ஆரம்ப DDR5 RDIMM வெளியீட்டில் இந்த அணுகுமுறை பயன்படுத்தப்படுமா என்பதை அறிக்கைகள் உறுதிப்படுத்தவில்லை.

சாம்சங் மற்றும் SK hynix நிறுவனங்களுக்கும் சொந்த கால அட்டவணைகள் உள்ளன

Samsung Electronics மற்றும் SK hynix ஆகியவையும் 4F2 DRAMஐ ஆராய்ந்து வருகின்றன. ஆனால் CXMTயின் அறிவிப்பு குறித்த செய்தி விவரிப்புகளில், இந்நிறுவனங்கள் எதுவும் பெருமளவு உற்பத்திக்கான உறுதியான வாக்குறுதியை வெளியிடவில்லை. 2025ஆம் ஆண்டில் இதனுடன் தொடர்புடைய தொழில்நுட்பச் சாலைவரைபடத்தை SK hynix வெளியிட்டது. 4F2ஐப் பயன்படுத்தும் தனது 10a DRAM மேம்பாட்டை 2026ஆம் ஆண்டில் முடித்து, 2027ஆம் ஆண்டில் தரச் சோதனைகளை நடத்தி, 2028ஆம் ஆண்டில் பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்க சாம்சங் இலக்கு வைத்துள்ளதாகத் தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது.

சாம்சங்கின் அட்டவணை, உறுதிப்படுத்தப்பட்ட உத்தரவாதம் அல்ல; செய்திகளில் தெரிவிக்கப்பட்ட மேம்பாட்டு இலக்காகும். இருப்பினும், CXMTயின் முன்மொழியப்பட்ட 2026 வெளியீட்டுக்கு கவனம் செலுத்தப்படுவதற்கான காரணத்தை இது விளக்குகிறது: தற்போது அதன் பெரிய போட்டியாளருடன் தொடர்புபடுத்தப்படும் உற்பத்தித் தேதிக்கு முன்பே வணிகத் தயாரிப்பை அறிமுகப்படுத்த சீன நிறுவனம் முயல்கிறது.

4F2 அல்லது அதைப் போன்ற 3D DRAM தொழில்நுட்பங்களுக்கான சாலைவரைபடங்கள் மூன்று பெரிய நினைவக உற்பத்தியாளர்களிடமும் உள்ளன; ஆனால் அவை எதுவும் பெருமளவிலான வணிகமயமாக்கலை எட்டவில்லை என்று ஷாங்காய் ஜியாவோ தொங் பல்கலைக்கழக ஆய்வாளர் தியான் ஃபெங் கூறினார். தீர்மானமான முன்னிலையை ஏற்கெனவே ஒரு நிறுவனம் நிரூபித்த சந்தை இது அல்ல; வளர்ந்து வரும் போட்டி என்பதையே அவரது மதிப்பீடு ஆதரிக்கிறது.

அறிவிக்கப்பட்ட மைல்கற்கள் பல ஆண்டுகளைக் கடந்து விரிகின்றன:

• 2016: நிறுவனம் தொடங்கப்பட்டபோது 4F2 ஆராய்ச்சியைத் தொடங்கியதாக CXMT கூறுகிறது.
• 2025: 4F2 தொழில்நுட்பத்துடன் தொடர்புடைய சாலைவரைபடத்தை SK hynix வெளியிட்டது.
• ஆகஸ்ட் 2026: LPDDR6 மொபைல் நினைவகத்தின் பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்கியதாக CXMT கூறுகிறது.
• செப்டம்பர் 2026: ஐந்தாம் தலைமுறை DRAM உற்பத்தித் தளம் பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்கியதாக CXMT கூறுகிறது.
• அக்டோபர் 10, 2026: ஷாங்காயில் சர்வர் நினைவகத் திட்டத்தை காவ் வெளியிட்டார்.
• 2026ஆம் ஆண்டின் இறுதி: 4F2ஐப் பயன்படுத்தும் DDR5 RDIMMகளை அறிமுகப்படுத்த CXMT இலக்கு வைத்துள்ளது.
• 2027 மற்றும் 2028: தரச் சோதனையைத் தொடர்ந்து பெருமளவு உற்பத்தியைத் தொடங்க சாம்சங் திட்டமிட்டுள்ளதாகத் தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது.

உற்பத்தி விளைச்சல் விகிதமே போட்டியைத் தீர்மானிக்கலாம்

முக்கிய உற்பத்திச் சவால் விளைச்சல் விகிதம். அதாவது, ஒரு சிலிக்கான் தகட்டில் தயாரிக்கப்படும் சிப்புகளில் தேவையான விவரக்குறிப்புகளைப் பூர்த்தி செய்யும் சிப்புகளின் விகிதம். கோட்பாட்டில் சிறிய செல் கவர்ச்சிகரமாக இருந்தாலும், சோதனையில் அதிக சிப்புகள் தோல்வியடைந்தால் அதை உற்பத்தி செய்வது செலவுமிக்கதாக இருக்கும். டிரான்சிஸ்டர் வடிவத்தையும் உற்பத்திப் படிகளையும் மாற்றும்போது, வணிக ரீதியாகப் பயனுள்ள விளைச்சல் விகிதத்தை எட்டும் வகையில் செயல்முறையை மேம்படுத்த வேண்டும்.

நினைவகப் பற்றாக்குறை நிலவும் காலத்தில் இது குறிப்பாக முக்கியம். புதிய செயல்முறையை அறிமுகப்படுத்தும் உற்பத்தியாளர்கள், தொழில்நுட்பம் இறுதியில் அடர்த்தி அல்லது செயல்திறனை மேம்படுத்தினாலும், உற்பத்திச் சிக்கல்களைத் தீர்க்கும் போது பயன்பாட்டுக்குரிய உற்பத்தி அளவை இழக்க நேரிடலாம். எனவே, நிலவும் தயாரிப்புகளுக்கான தேவையுடன் ஒப்பிட்டு, தொழில்நுட்ப மாற்றத்தின் நேரத்தை மதிப்பிட வேண்டிய காரணம் ஏற்கெனவே நிலைபெற்றுள்ள வழங்குநர்களுக்கு உள்ளது.

தற்போதைய நினைவகப் பற்றாக்குறை நீடிக்கும் என எதிர்பார்க்கப்படும் நிலையில், உடனடி வணிக முன்னுரிமையாக உற்பத்தித் திறன் மாறியுள்ளது என்று SK hynix நிறுவனத்தின் முன்னாள் தலைமைத் தொழில்நுட்ப அதிகாரி கிம் ஜின்-குக் தெரிவித்தார்:

தற்போதைய நினைவகப் பற்றாக்குறை நீடிக்கும் என எதிர்பார்க்கப்படுவதால், தொழில்நுட்பத் திறனைவிட உற்பத்தித் திறனுக்கு அதிக முக்கியத்துவம் அளிக்கும் சந்தையாக இது மாறி வருகிறது,

புதிய செயல்முறையை அறிமுகப்படுத்துவதற்கான செலவு குறித்தும் கிம் எச்சரித்தார்:

புதிய தொழில்நுட்பங்களை அறிமுகப்படுத்தும்போது உற்பத்தி இழப்புகள் கணிசமாக இருக்கும் என்பது தவிர்க்க முடியாதது.

முன்கூட்டிய அறிவிப்பு என்பது வலுவான போட்டிநிலையைக் குறிக்க வேண்டிய அவசியமில்லை என்பதை அவரது கருத்துகள் விளக்குகின்றன. அதிக அடர்த்தியைக் கொண்ட வடிவமைப்பு இன்னும் உற்பத்தி செய்வதற்குச் சிரமமாக இருக்கும் நிலையில், அதை விட நம்பகமான நினைவகத்தைப் பெருமளவில் தயாரிக்கும் நிறுவனம் வாடிக்கையாளர்களுக்குச் சிறப்பாகச் சேவை வழங்க முடியும்.

G5 தளத்தில் உற்பத்தியைச் செப்டம்பரில் தொடங்கியதாகக் கூறப்படும் தகவல், மற்றொரு உற்பத்தி மைல்கல்லில் CXMT செயல்பட்டு வருவதைக் காட்டுகிறது. ஆனால் அறிவிக்கப்பட்ட 4F2 சர்வர் தயாரிப்பு அதே அளவிலான தயார்நிலையை எட்டிவிட்டது என்பதை இது மட்டும் நிரூபிக்காது. இந்த உற்பத்திக் கூற்றுகளுக்கு இடையிலான தொடர்பை உறுதிப்படுத்தும் அளவுக்கான விவரங்களை நிறுவனம் வெளியிடவில்லை.

சர்வர் வாடிக்கையாளர்கள் வேறொரு சோதனை

சர்வர் DRAM சந்தையில் Samsung, SK hynix, Micron ஆகியவை முன்னணி இடங்களைப் பிடித்துள்ளன; CXMTயோ நுகர்வோர் மின்னணுவியலில் அதிக கவனம் செலுத்தியுள்ளது. 2026ஆம் ஆண்டின் முதல் பாதியில் சர்வர் வணிகத்தின் பங்களிப்பு அதிகரித்ததாக CXMT கூறுகிறது. ஆனால் அந்த வணிகத்துக்கான வருவாய் அல்லது சந்தைப் பங்கு பற்றிய எண்ணிக்கையை அறிக்கைகள் வழங்கவில்லை.

இதனால் சர்வர் சந்தையில் நுழைவதற்கும், அங்கு கணிசமான தேவையைப் பெறுவதற்கும் இடையே முக்கியமான வேறுபாடு உள்ளது. நீடித்த பணிச்சுமையின்கீழ் தங்கள் அமைப்புகளுடன் நம்பகமாகச் செயல்படும் நினைவகம் வாடிக்கையாளர்களுக்குத் தேவை. சிப் அடர்த்தியுடன், தயாரிப்புத் தகுதிச் சோதனை, நம்பகமான விநியோகம், சீரான செயல்திறன் ஆகியவையும் முக்கியம்.

மேம்பட்ட கணினிச் செயலிகளுடன் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் உயர் அலைவரிசை நினைவகத்தில் (HBM) முன்னேற்றம் ஏற்பட்டுள்ளது என்பதையும் இந்த அறிவிப்பு நிரூபிக்கவில்லை. DDR5 RDIMMகளும் HBMஉம் வெவ்வேறு நினைவகப் பணிகளைச் செய்கின்றன. முன்மொழியப்பட்ட சர்வர் தயாரிப்பில் முன்னேற்றம் ஏற்பட்டுள்ளது என்பதைக் கொண்டு, HBM தொழில்நுட்பத்தில் CXMTக்கு இருப்பதாகக் கூறப்படும் இடைவெளி குறைந்துவிட்டது எனக் கருத முடியாது.

வழக்கமான DRAMஇல் தென் கொரியாவுக்கும் சீனாவுக்கும் இடையிலான இடைவெளி குறித்து மதிப்பீடுகள் மாறுபடுகின்றன. சில அறிக்கைகள் அதை ஒன்று முதல் இரண்டு ஆண்டுகள் எனக் கூறுகின்றன; மற்றவை இரண்டு முதல் மூன்று ஆண்டுகள் எனக் குறிப்பிடுகின்றன. HBMஇல் உள்ள இடைவெளி குறைந்தது மூன்று ஆண்டுகள் எனப் பொதுவாக அறிக்கைகள் மதிப்பிடுகின்றன. இவை தொழில்துறை மதிப்பீடுகள்; வெளிப்படையாகப் பகிரப்பட்ட, ஒப்பிடக்கூடிய தயாரிப்புச் சோதனைகளிலிருந்து பெறப்பட்ட அளவீடுகள் அல்ல.

காப்புரிமைகளும் உபகரணங்களும் பரந்த போட்டியை வடிவமைக்கின்றன

4F2 தொடர்பாக 300க்கும் மேற்பட்ட காப்புரிமைக் குடும்பங்களை வெளியிட்டுள்ளதாகவும், 2016 முதல் இந்தக் கட்டமைப்பை ஆராய்ந்து வருவதாகவும் CXMT கூறுகிறது. ஒரு காப்புரிமைக் குடும்பம் என்பது ஒரு கண்டுபிடிப்பைப் பாதுகாக்கும் தொடர்புடைய விண்ணப்பங்கள் பல்வேறு தாக்கல்களிலோ அதிகார வரம்புகளிலோ இடம்பெறுவதை உள்ளடக்கியது. இந்த எண்ணிக்கை கணிசமான அறிவுசார் சொத்துக் கோரிக்கைகள் இருப்பதைக் காட்டுகிறது; ஆனால் 300 தனித்தனியாக நிரூபிக்கப்பட்ட உற்பத்தி முன்னேற்றங்கள் உள்ளன என்று இதற்குப் பொருளல்ல.

உள்நாட்டுப் போட்டியாளர்களையும் சர்வதேசப் போட்டியாளர்களையும் விட CXMTயின் தொடர்புடைய காப்புரிமை உரிமைகள் அதிகம் என்றும் காவ் கூறினார். அந்தத் தரவரிசையைச் சரிபார்க்க ஒப்பீட்டுக் காப்புரிமைத் தரவுத்தொகுப்பு எதுவும் வழங்கப்படவில்லை. வடிவமைப்புகளை உற்பத்தி செய்ய முடியுமா, தயாரிப்புகள் வாடிக்கையாளர் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கின்றனவா, அவற்றைப் பெருமளவில் விநியோகிக்க முடியுமா என்பவையே மிகவும் பயனுள்ள வணிகச் சோதனைகளாக இருக்கும்.

உபகரணங்களைப் பெறுவதும் மற்றொரு தடையாக உள்ளது. ASML நிறுவனத்தின் அதிதீவிர புற ஊதாக் கதிர் ஒளிப்படிகருவிகளை (EUV) CXMT பயன்படுத்த முடியாது என அறிக்கைகள் தெரிவிக்கின்றன. மிகச் சிறிய அம்சங்களைச் சிலிக்கான் தகடுகளில் பதிக்க உற்பத்தியாளர்களுக்கு EUV உதவுகிறது. அது இல்லாதது, வணிக ரீதியாகப் பயனுள்ள விளைச்சல் விகிதத்தை நோக்கிய CXMTயின் பாதையில் நிச்சயமற்ற தன்மையை அதிகரிக்கிறது.

எதிர்கால 3D DRAM உற்பத்தியில் EUVயின் தாக்கம் குறைவாக இருக்கும் என சில தொழில்துறை கருத்துரைகள் வாதிடுகின்றன. அந்த எதிர்பார்ப்பு பிந்தைய கட்டமைப்பைப் பற்றியது; அறிவிக்கப்பட்ட தயாரிப்பைச் சுற்றியுள்ள உற்பத்திச் சவால்களை அது நீக்குவதில்லை. 4F2 செல்லில் செங்குத்து டிரான்சிஸ்டர் பயன்படுத்தப்படுவது, DRAM செல்களின் பல அடுக்குகளை அடுக்குவதைப் போன்றதே என்றும் தானாகக் கருத முடியாது.

சீனாவில் தெரிவிக்கப்படும் பிற முன்னேற்றங்கள், கொரிய உற்பத்தியாளர்களிடையே கவலை ஏன் நிலவுகிறது என்பதை விளக்குகின்றன. Huawei லாஜிக் ஃபோல்டிங் தொழில்நுட்பத்தை முன்னிறுத்தியுள்ளது; YMTCயின் Xtacking பாண்டிங் தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்த சாம்சங் உரிமக் கட்டணம் செலுத்துவதாகவும் அறிக்கைகள் கூறுகின்றன. இவை வேறுபட்ட தொழில்நுட்பங்களையும் நிறுவனங்களையும் சார்ந்தவை. எனவே, CXMTயின் சர்வர் நினைவகக் கூற்றுகளை இவற்றைக் கொண்டு உறுதிப்படுத்த முடியாது.

5G, கணினி, செயற்கை நுண்ணறிவு மற்றும் வலையமைப்பு ஆகியவற்றை உள்ளடக்கிய காப்புரிமை உரிம ஒப்பந்தம் ஒன்றை அக்டோபர் 5ஆம் தேதி Huawei மற்றும் Qualcomm அறிவித்ததாகத் தெரிவிக்கப்பட்டது. தொழில்துறையில் சீன அறிவுசார் சொத்துகள் பரந்த அளவில் வகிக்கும் பங்கை இது எடுத்துக்காட்டுகிறது; ஆனால் இது DRAM ஒப்பந்தமோ 4F2 உற்பத்திக்கான தயார்நிலைக்கு ஆதாரமோ அல்ல.

காலக்கெடுவுக்கு முன் இன்னும் நிரூபிக்கப்பட வேண்டியவை

CXMTயின் நிதி விரிவாக்கம் அதன் மேம்பாட்டு முயற்சிக்கு மேலும் பின்னணியை வழங்குகிறது. ஜூலை மாதப் பங்கு விற்பனை சுமார் 8.6 பில்லியன் டாலர் அல்லது ஏறத்தாழ 66.61 பில்லியன் யுவான் என அறிக்கைகள் மதிப்பிடுகின்றன. முதல் வர்த்தக நாளில் அதன் பங்குகள் 466% உயர்ந்ததாகவும் அவை தெரிவிக்கின்றன. இந்த எண்ணிக்கைகள் கணிசமான நிதி திரட்டலையும் முதலீட்டாளர் ஆர்வத்தையும் காட்டுகின்றன; திட்டமிட்ட நினைவகத் தயாரிப்புக்கான தொழில்நுட்ப உறுதிப்படுத்தலை அல்ல.

ஏற்கெனவே நிலைபெற்றுள்ள வழங்குநர்களின் பங்குகளில் ஏற்பட்ட உடனடி சந்தை எதிர்வினை மிதமாக இருந்தது: தெரிவிக்கப்பட்ட வர்த்தக அமர்வுகளில், இரவு நேர வர்த்தகத்தில் Micron சுமார் 1% சரிந்தது; உள்ளூர் வர்த்தகத்தில் SK hynix 0.8% சரிந்தது. குறைக்கடத்தித் துறையில் பரவலான பங்கு விற்பனையும் செயற்கை நுண்ணறிவு முதலீடு குறித்த கவலைகளும் அப்போது நிலவின. எனவே, இந்த மாற்றங்களுக்கு CXMTயின் அறிவிப்பை மட்டும் காரணமாகக் கூற முடியாது.

அடுத்ததாகக் குறிப்பிடப்பட்டுள்ள காலக்கெடு 2026ஆம் ஆண்டின் இறுதியாகும். நேரடி போட்டி ஒப்பீட்டை மேற்கொள்வதற்கு முன், வெளியீட்டுத் தேதியை விட அதிகமான தகவல்களை CXMT வெளியிட வேண்டும்: தொகுதியின் விவரக்குறிப்புகள், உற்பத்தி அளவு, வாடிக்கையாளர் தகுதிச் சோதனை, நம்பகமான செயல்பாட்டுக்கான ஆதாரம் ஆகியவை வணிக ரீதியாக இந்த அறிவிப்பின் பொருளை நிறுவ உதவும்.

தற்போதைக்கு, சாம்சங்கின் உற்பத்தி அட்டவணை எனத் தெரிவிக்கப்படுவதைவிட முந்தைய தயாரிப்பு இலக்கை CXMT நிர்ணயித்துள்ளது; மேலும், குறிப்பிட்ட கட்டமைப்பு அணுகுமுறையையும் விவரித்துள்ளது. இது சர்வர் நினைவகத்தில் முன்னிலையாக மாறுமா என்பது கால அட்டவணையை மட்டும் சார்ந்ததல்ல; பயன்பாட்டுக்குரிய உற்பத்தி அளவும் வாடிக்கையாளர் ஏற்றுக்கொள்ளுதலும் அதனைத் தீர்மானிக்கும்.

முக்கிய குறிப்புகள்

• 4F2 DRAMஐப் பயன்படுத்தும் DDR5 பதிவு செய்யப்பட்ட சர்வர் நினைவகத்தை 2026ஆம் ஆண்டின் இறுதிக்குள் அறிமுகப்படுத்த CXMT திட்டமிட்டுள்ளது.
• ஒரே குறைந்தபட்ச அம்ச அளவில், 4F2 செல் 6F2 செல்லைவிடக் கோட்பாட்டளவில் மூன்றில் ஒரு பங்கு சிறியது.
• தனது செங்குத்து சுற்றிவளைக்கும் கேட் டிரான்சிஸ்டர் கசிவைக் குறைத்து அதிக அடர்த்திக்கு வழிவகுப்பதாக CXMT கூறுகிறது.
• சாம்சங் 2028ஆம் ஆண்டில் பெருமளவு உற்பத்தியை இலக்காகக் கொண்டுள்ளதாகத் தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது; தொடர்புடைய சாலைவரைபடத்தை SK hynix 2025இல் வெளியிட்டது.
• விரிவான தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள், உற்பத்தி விளைச்சல் விகிதம் அல்லது துல்லியமான அறிமுகத் தேதியை CXMT வெளியிடவில்லை.
• முன்கூட்டிய அறிமுகம் என்பது மட்டும் பெருமளவு உற்பத்தியிலோ சர்வர் வாடிக்கையாளர் ஏற்றுக்கொள்ளுதலிலோ முன்னிலை பெற்றதைக் குறிக்காது.