மைக்ரான் 4F² DRAM-ஐ நிராகரித்து, வேஃபர் பிணைப்பு மற்றும் 3D நினைவகத்தில் முதலீடு செய்கிறது; போட்டியாளர்கள் வேறு பாதையைத் தேர்வு செய்கின்றனர்

அடுத்த பத்தாண்டுக்கான நினைவக வளர்ச்சியில் மைக்ரான் வேறுபட்ட பாதையைத் தேர்வு செய்கிறது

சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ், எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் மற்றும் சீனாவின் சாங்சின் மெமரி டெக்னாலஜீஸ் (CXMT) ஆகியவை முன்னெடுத்து வரும் சிறிய 4F² வடிவமைப்பை ஏற்காமல், தற்போதைய 6F² DRAM செல் கட்டமைப்பைத் தொடர்ந்து மேம்படுத்த மைக்ரான் டெக்னாலஜி திட்டமிட்டுள்ளது. வழக்கமான DRAM-ஐ மேலும் மேம்படுத்துவது, வேஃபர் பிணைப்பு, இறுதியில் 3D DRAM உருவாக்கம் ஆகியவற்றை அதன் மாற்றுத் திட்டம் ஒருங்கிணைக்கிறது.

2026 அக்டோபர் 21 அன்று நடைபெற்ற தொழில்நுட்ப இணையவழிக் கருத்தரங்கில், அடுத்த முக்கிய மைல்கல்லுக்கான உறுதியான தேதியை மைக்ரான் அறிவித்தது: 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதியில் இடாஹோவின் போய்ஸில் 1-டெல்டா DRAM-ஐ பெருமளவில் உற்பத்தி செய்வது. தற்போதைய 1-காமா தலைமுறையுடன் ஒப்பிடும்போது, பிட் அடர்த்தியை 20 சதவீதங்களின் நடுப்பகுதி அளவுக்கு உயர்த்த நிறுவனம் இலக்கு வைத்துள்ளது. அதாவது, அதே சிப் பரப்பளவில் கூடுதல் தரவைச் சேமிக்க முடியும்.

4F²-ஐ மேலும் சிறியதாக்குவதில் அடிப்படையான இயற்பியல் சிக்கல்கள் இருப்பதாக நிறுவனம் கருதுகிறது என்று மைக்ரானின் தலைவர் மற்றும் தலைமைத் தொழில்நுட்ப, தயாரிப்புப் பொறுப்பாளர் ஸ்காட் டிபோர் தெரிவித்தார். இந்தக் கட்டமைப்பை 20 ஆண்டுகளுக்கும் மேலாக ஆய்வு செய்ததாகவும், அதை மேலும் சிறியதாக்குவதற்கான சாத்தியமான வழி எதையும் கண்டறியவில்லை என்றும் மைக்ரானின் விளக்கக்காட்சி கூறியது.

சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் வேறுபட்ட பாதையில் செல்கின்றன. இரு நிறுவனங்களும், பின்னர் 3D DRAM-க்கு மாறுவதற்கு முன்பு 4F²-ஐ நடைமுறைக்குக் கொண்டுவரும் நோக்கில் செங்குத்து டிரான்சிஸ்டர் கட்டமைப்புகளை ஆராய்கின்றன. மேம்பட்ட சிப் தயாரிப்பு உபகரணங்களைப் பெறுவதில் கட்டுப்பாடுகளை எதிர்கொள்ளும் நிலையிலும், சர்வர் நினைவகத்திற்காக CXMT-யும் இந்த வடிவமைப்பை முன்னெடுத்து வருகிறது.

இந்தப் போட்டியின் மையத்தில் நடைமுறை சார்ந்த ஒரு கேள்வி உள்ளது: குறைந்த செலவில் அதிக நம்பகத்தன்மை கொண்ட நினைவகத்தை எந்த அணுகுமுறை வழங்கும்? சிப் உருவாக்கப்படும் மற்றும் இணைக்கப்படும் முறைகளை மாற்றிக்கொண்டே, பரிச்சயமான செல் வடிவமைப்பை விரிவுபடுத்துவது 4F²-க்கு மாறுவதைவிட வாடிக்கையாளர்களுக்கு மேம்பட்ட சேவையளிக்கும் என்று மைக்ரான் நம்புகிறது.

சிறிய செல் ஏன் பெரிய விவாதத்தை ஏற்படுத்துகிறது

கணினிக்குத் தேவையான தகவல்களை விரைவாக அணுகக்கூடிய வகையில் வைத்திருப்பதே DRAM-இன் பணி. வழக்கமான ஒவ்வொரு நினைவகச் செல்லும் ஒரு பிட் தரவைச் சேமிக்கிறது. இதில் சுவிட்சாகச் செயல்படும் ஒரு டிரான்சிஸ்டரும், மின்சுமையை வைத்திருக்கும் ஒரு மின்தேக்கியும் உள்ளன.

6F², 4F² என்ற குறியீடுகள், F எனப்படும் உற்பத்தி அளவுடன் ஒப்பிடுகையில் ஒரு செல்லின் பரப்பளவைக் குறிக்கின்றன. F அளவு மாறாமல் இருக்கும்போது, ஆறு பரப்பளவு அலகுகளிலிருந்து நான்காக மாறுவது செல்லின் பெயரளவிலான பரப்பளவை மூன்றில் ஒரு பங்காகக் குறைக்கும். சிறந்த அமைப்பில், அதே பரப்பளவில் 50% கூடுதல் செல்களை அமைக்கலாம்; ஏனெனில் ஆறை நான்கால் வகுத்தால் 1.5 கிடைக்கும்.

மைக்ரானின் எதிர்ப்பு மின்தேக்கியை மையமாகக் கொண்டது. குறைந்த இடத்தைப் பயன்படுத்தும் வகையில் டிரான்சிஸ்டர் செங்குத்தாக அமைக்கப்பட்டாலும், அதற்கு மேலுள்ள மின்தேக்கிகள் நிலையாக இருக்கவும், மின்சுமையைத் தக்கவைக்கவும், அருகிலுள்ளவற்றுடன் குறுக்கீட்டைத் தவிர்க்கவும் போதிய இடம் தேவை. மின்தேக்கிகளுக்கு இடையிலான இடைவெளியான மின்தேக்கி பிட்ச், DRAM பிட் அடர்த்திக்கான அடிப்படை வரம்பு என்று டிபோர் தெரிவித்தார்.

கேள்வி-பதில் அமர்வின்போது மைக்ரானின் காரணத்தை டிபோர் விளக்கினார்:

4F²-ஐ சிறியதாக்குவதில் அடிப்படையான சிக்கல்கள் உள்ளன. அவை இறுதியில் 4F²-க்குப் பதிலாக 3D DRAM வருவதற்கு வழிவகுக்கும்.

உற்பத்தியும் கூடுதல் வரம்புகளை விதிக்கிறது. உயரமான, குறுகிய கட்டமைப்புகளைச் சீராக உருவாக்குவது கடினம். அதேவேளை, மெல்லிய மின்சார இணைப்புகளில் மின்தடை அதிகரித்து, சமிக்ஞைகள் நகர்வது மெதுவாகலாம். இந்தச் சிக்கல்களைச் சமாளித்த பிறகு, ஒரு வேஃபரிலிருந்து எத்தனை செயல்படும் பிட்கள் கிடைக்கின்றன என்பதைப் பொறுத்தே வணிகப் பலன் அமையும்.

மைக்ரான் என்ன உருவாக்கத் திட்டமிட்டுள்ளது, எப்போது

தனது 1-காமா தொழில்நுட்பம் ஏற்கெனவே அதிக அளவிலான உற்பத்தியில் இருப்பதாகவும், அடுத்த 12 மாதங்களில் அறிமுகமாகும் தயாரிப்புகளுக்கு அடித்தளமாக இருக்கும் என்றும் மைக்ரான் கூறுகிறது. அதன் அடுத்த தலைமுறையான 1-டெல்டா, HBM5, செங்குத்து HBM மற்றும் பயன்படுத்தப்படும் சாதனத்திற்கு அருகிலேயே AI ஊகச் செயலாக்கம் செய்ய உதவும் நினைவகம் உள்ளிட்ட தயாரிப்புகளுக்குத் துணைபுரியும்.

அடுத்ததாக வரும் 1-எப்சிலான் தலைமுறை, DRAM வளர்ச்சித் திட்டத்தில் வேஃபர் பிணைப்பைச் சேர்க்கிறது. தனித்தனியாகத் தயாரிக்கப்பட்ட வேஃபர்களை ஒன்றாக இணைக்க இந்தச் செயல்முறை உதவுகிறது. இதனால் வெவ்வேறு உற்பத்திப் படிகளைப் பயன்படுத்தி நினைவகச் செல்களையும் அவற்றுக்குத் துணைபுரியும் மின்சுற்றுகளையும் உருவாக்கப் பொறியாளர்களுக்கு அதிக சுதந்திரம் கிடைக்கிறது.

பின்னர் வரும் தலைமுறைகளுக்கான கருவிகளாக High-NA EUV லித்தோகிராஃபியையும் புதிய பொருட்களையும் மைக்ரான் குறிப்பிடுகிறது. நுண்ணிய சிப் வடிவங்களைப் பதிக்க மேம்பட்ட ஒளியியல் அமைப்பை High-NA EUV பயன்படுத்துகிறது. இதனுடன், 3D1, 3D2 எனப் பெயரிடப்பட்ட 3D DRAM வளர்ச்சியின் இரண்டு கட்டங்களும் திட்டத்தில் இடம்பெற்றுள்ளன.

• 2026 அக்டோபர் 21: 6F²-ஐ விரிவுபடுத்தவும், வேஃபர் பிணைப்பு மற்றும் 3D DRAM-ஐ உருவாக்கவும் எடுத்த முடிவை மைக்ரான் விளக்குகிறது.
• 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதி: போய்ஸில் 1-டெல்டா DRAM-ஐப் பெருமளவில் உற்பத்தி செய்ய மைக்ரான் இலக்கு வைத்துள்ளது.
• 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதி: 11-ஆம் தலைமுறை NAND-இன் உற்பத்தி அதிகரிப்பும் தொடங்கத் திட்டமிடப்பட்டுள்ளது.
• DRAM-இன் பிந்தைய தலைமுறைகள்: 1-எப்சிலான் வேஃபர் பிணைப்பை அறிமுகப்படுத்தும்; அதைத் தொடர்ந்து மேம்பட்ட லித்தோகிராஃபி, புதிய பொருட்கள், 3D DRAM ஆகியவற்றில் பணிகள் நடைபெறும்.
• 2027 முதல் 2030 வரை: மைக்ரானின் HBM வளர்ச்சித் திட்டம், அடுத்தடுத்த ஆண்டுகளில் HBM4E, HBM5, HBM5E, HBM6 ஆகியவற்றை உள்ளடக்கியுள்ளது.

3D DRAM-க்கான வணிக அறிமுகத் தேதியை மைக்ரான் உறுதிப்படுத்தவில்லை. செலவு, உற்பத்திச் சிக்கல், சாதனத்தின் செயல்திறன் ஆகியவற்றைப் பொறுத்தே இந்த மாற்றம் அமையும் என்று டிபோர் கூறினார். அதேவேளை, வழக்கமான தட்டையான DRAM-ஐ மேலும் பல தலைமுறைகளுக்கு மேம்படுத்துவதில் நம்பிக்கை தெரிவித்தார்.

சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் செங்குத்து டிரான்சிஸ்டர்களை முன்னெடுக்கின்றன

சாம்சங்கின் அணுகுமுறை செங்குத்து சேனல் டிரான்சிஸ்டர்கள், வேஃபர் பிணைப்பு, இண்டியம் காலியம் சிங்க் ஆக்சைடு (IGZO) எனப்படும் ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி குறித்த ஆய்வு ஆகியவற்றை ஒருங்கிணைக்கிறது. அதன் மேம்பட்ட 4F² ஆய்வு சுமார் ஐந்து ஆண்டுகளாக நடைபெற்று வருகிறது.

மின்சுமை தேவையின்றி வெளியேறுவதைக் குறைக்க IGZO ஆய்வு செய்யப்படுகிறது. கணினி நம்பகமாகப் படிக்கும் வரை DRAM செல் தனது மின்சுமையைப் பாதுகாக்க வேண்டியிருப்பதால், இந்தக் கசிவு முக்கியமானது. நினைவகச் செல்களைக் கொண்ட வேஃபரையும் துணை மின்சுற்றுகளைக் கொண்ட வேஃபரையும் தனித்தனியாக வைத்து, பின்னர் அவற்றை இணைப்பதே சாம்சங்கின் பிணைப்பு வடிவமைப்பு.

4F² செங்குத்து கேட் தளத்தையும் வேஃபர் பிணைப்பையும் இணைக்கும் ஆய்வை எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் வெளியிட்டுள்ளது. அதிக அடர்த்தி, குறைந்த மின் நுகர்வு ஆகியவற்றை நோக்கமாகக் கொண்ட இந்தக் கட்டமைப்பைப் பயன்படுத்துவதுடன், நீண்டகாலத்தில் 3D DRAM-க்கும் நிறுவனம் தயாராகி வருகிறது.

தொழில்துறை கணிப்புகளின்படி, கொரிய நிறுவனங்களின் 4F² உற்பத்தி 2027 முதல் 2028 வரையிலான காலத்தில் தொடங்கக்கூடும். எனினும், ஏற்கெனவே நிறுவப்பட்டுள்ள உற்பத்தியாளர்களிடமிருந்து குறிப்பிடத்தக்க அளவிலான தயாரிப்புகள் 2028-ஆம் ஆண்டின் பிற்பகுதியிலோ அதற்குப் பிறகோ கிடைக்கும் எனக் கூடுதல் எச்சரிக்கையுடன் கூடிய கணிப்புகள் தெரிவிக்கின்றன. இந்தக் கணிப்புகள் தயாரிப்பு மேம்பாடு, வாடிக்கையாளர் தகுதிச் சோதனை, உற்பத்தி விளைச்சல் ஆகியவற்றைப் பொறுத்தவை. உற்பத்தி செய்யப்படும் சிப்களில் சரியாகச் செயல்படுபவற்றின் விகிதமே உற்பத்தி விளைச்சல்.

எனவே, போட்டியிடும் அணுகுமுறைகள் இரண்டிலும் வேஃபர் பிணைப்பு பொதுவான கருவியாக உள்ளது. 4F²-ஐ நடைமுறைக்குக் கொண்டுவர உதவ சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் இதைப் பயன்படுத்தத் திட்டமிடுகின்றன. 6F²-ஐத் தக்கவைத்துக்கொண்டே இதைப் பயன்படுத்த மைக்ரான் திட்டமிடுகிறது. பிணைப்புக்கு பங்கு இருக்கிறதா என்பதில் அல்ல; செல் கட்டமைப்பிலும் வளர்ச்சிப் படிகளின் வரிசையிலும்தான் கருத்து வேறுபாடு உள்ளது.

உபகரணக் கட்டுப்பாடுகளைத் தாண்ட CXMT வழி தேடுகிறது

4F² மீது CXMT ஆர்வம் காட்டுவதற்குப் பின்னால் மற்றொரு காரணம் உள்ளது: அதிதீவிர புற ஊதாக் கதிர் லித்தோகிராஃபி உபகரணங்களைப் பெறுவதற்கான கட்டுப்பாடுகள். பழைய ஆர்கான் ஃபுளோரைடு லித்தோகிராஃபி கருவிகளைப் பயன்படுத்தியபடியே அடர்த்தியை உயர்த்தக்கூடிய கட்டமைப்பு மாற்றத்தை நிறுவனம் முன்னெடுத்து வருகிறது.

12 அங்குல விட்டமுள்ள வேஃபர்களில் செங்குத்து கேட் கட்டமைப்புகளையும் கலப்பு பிணைப்பையும் இணைப்பதே அதன் முன்மொழியப்பட்ட அணுகுமுறை. நினைவக வரிசைகளும் புறத் தருக்க மின்சுற்றுகளும் தனித்தனியாக உருவாக்கப்பட்டு, பின்னர் ஒன்றாக இணைக்கப்படுகின்றன. இந்த அணுகுமுறையுடன் தொடர்புடைய மதிப்பீடுகள், சேமிப்பு அடர்த்தி 30% முதல் 50% வரை உயரக்கூடும் எனக் குறிப்பிடுகின்றன.

சர்வர்களுக்கான DDR5 பதிவுசெய்யப்பட்ட நினைவகத் தொகுதிகளான RDIMM-களை CXMT இலக்காகக் கொண்டுள்ளது. 2026 இறுதிக்குள் தயாரிப்பை அறிமுகப்படுத்தவும், அதே ஆண்டுக்குள் வாடிக்கையாளர் தகுதிச் சோதனையை முடிக்கவும் அது இலக்கு வைத்துள்ளது. உற்பத்தி விளைச்சல், அனுப்பப்படும் அளவுகள், பரந்த அளவிலான வணிக உற்பத்தி அதிகரிப்புக்கான அட்டவணை ஆகியவை வெளியிடப்படவில்லை.

இதனால், அறிவிப்புக்கும் சந்தை விநியோகத்தில் கணிசமான அதிகரிப்புக்கும் இடையே பல படிகள் உள்ளன. சர்வர் வாடிக்கையாளர்கள் நினைவகத்தைத் தகுதிச் சோதனைக்கு உட்படுத்த வேண்டும். பெரிய அளவில் அனுப்புவதற்குத் துணைபுரியும் செலவில், சீராக உற்பத்தி செய்வதையும் CXMT உறுதிப்படுத்த வேண்டும்.

2026 இறுதியில் மாதாந்திர DRAM வேஃபர் உற்பத்தித் திறன் 290,000-இலிருந்து 2028 இறுதியில் 513,000-ஆக உயரும் என்று கோல்ட்மேன் சாக்ஸ் கணித்துள்ளது. இது 223,000 வேஃபர்கள் அல்லது சுமார் 77% அதிகரிப்பாகும். 2028-க்குள் சீனாவின் DRAM தேவையில் சுமார் 50% மற்றும் HBM தேவையில் 40%-ஐ CXMT பூர்த்தி செய்யக்கூடும் என்றும் அந்த வங்கி மதிப்பிடுகிறது.

HBM தயாரிப்பில் நினைவகச் செல்களை உருவாக்குவதைத் தாண்டிய தேவைகளும் உள்ளன. மேம்பட்ட தொகுப்பாக்கம், அடுக்கப்பட்ட சிப்கள் வழியாக நம்பகமான இணைப்புகள், திறன் மிக்க அடிப்படை தருக்க டை ஆகியவையும் தேவை. தேவையான உபகரணங்களையும் உற்பத்திச் செயல்முறைகளையும் அணுகும் திறனே, வெவ்வேறு நினைவகச் சந்தைகளில் CXMT எவ்வளவு விரைவாக விரிவடையும் என்பதைத் தீர்மானிக்க உதவும்.

செங்குத்து HBM நினைவகத்தைச் செயலியின் நேரடியாக மேலே வைக்கிறது

மைக்ரானின் செங்குத்து HBM திட்டம், AI அமைப்பில் நினைவகம் அமைந்திருக்கும் இடத்தை மாற்றுகிறது. வழக்கமான HBM-இல் ஏற்கெனவே பல DRAM சிப்கள் அடுக்கப்படுகின்றன. ஆனால் அந்த அடுக்கு பொதுவாக, கூறுகளுக்கு இடையே சமிக்ஞைகளைக் கொண்டு செல்லும் இணைப்புத் தளமான இடைச்செருகியில், செயலியின் அருகே அமைந்திருக்கும்.

செங்குத்து HBM நினைவகத்தைச் செயலியின் நேரடியாக மேலே வைக்கிறது. மிக நெருக்கமாக இடைவெளியுள்ள தொடர்புப் புள்ளிகளை இணைக்கும் கலப்பு பிணைப்பைப் பயன்படுத்தி, நினைவகத்துக்கும் கணினிச் செயலாக்க வன்பொருளுக்கும் இடையே குறுகிய, அதிக அடர்த்தியான இணைப்புகளை உருவாக்க மைக்ரான் திட்டமிட்டுள்ளது.

இதன் முக்கிய நோக்கம் அலைவரிசையை அதிகரிப்பதாகும்; அதாவது ஒவ்வொரு நொடியும் பரிமாறப்படும் தரவின் அளவை உயர்த்துவது. AI செயலிகள் நினைவகத்துக்கும் கணினிச் சுற்றுகளுக்கும் இடையே பெருமளவிலான தகவல்களைத் திரும்பத் திரும்ப நகர்த்துகின்றன. வேகமான இணைப்புகள், தரவுக்காகக் காத்திருப்பதற்குப் பதிலாகக் கணக்கீடு செய்வதில் செயலி அதிக நேரம் செலவிட உதவும்.

வெப்பம் இந்த வடிவமைப்பைச் சிக்கலாக்குகிறது. சக்திவாய்ந்த செயலி கணிசமான வெப்பத்தை உருவாக்கும். அதன் மேலே வைக்கப்படும் நினைவகம் அந்தச் சூழலிலும் நம்பகமாகச் செயல்பட வேண்டும். செங்குத்து HBM-க்கு அலைவரிசையே முக்கியத் தூண்டுகோல் என்றும், வெப்ப வரம்புகள் காரணமாக நினைவகத் திறன் வேறொரு வேகத்தில் அதிகரிக்கும் என்றும் டிபோர் தெரிவித்தார்.

HBM அடிப்படை டையின் அதிக வெப்பமடையும் பகுதிகளுக்கு மேலே வெப்பப் பரப்பிகளை வைப்பது உள்ளிட்ட வெப்ப மேலாண்மை அணுகுமுறைகளை மைக்ரான் உருவாக்கி வருகிறது. செங்குத்து விளிம்புநிலை ஊகச் செயலாக்க நினைவகம் (vEIM) குறித்தும் அது பணியாற்றுகிறது. ஒவ்வொரு தொகுதிக்கும் சுமார் 2 டெராபைட்/நொடி என்ற தொடக்க அலைவரிசை இலக்கு நிர்ணயிக்கப்பட்டுள்ளது. விளிம்புநிலை ஊகச் செயலாக்கம் என்பது தரவு சேகரிக்கப்படும் அல்லது பயன்படுத்தப்படும் இடத்துக்கு அருகிலேயே AI மாதிரியை இயக்குவதாகும்.

மைக்ரானின் திட்டங்கள் செங்குத்துக் கட்டமைப்பின் பல வகைகளை உள்ளடக்கியுள்ளன: வேஃபர்களைப் பிணைப்பது, நினைவகச் சிப்களைச் செயலியின் மேலே அடுக்குவது, இறுதியில் 3D DRAM செல் கட்டமைப்புகளை உருவாக்குவது. குறைந்த இடத்தில் அதிக நினைவகத்தையும் வேகமான இணைப்புகளையும் பொருத்தும் சிக்கலின் வெவ்வேறு பகுதிகளுக்கு இவை ஒவ்வொன்றும் தீர்வளிக்கின்றன.

ஆண்டுதோறும் HBM மேம்பாடு; விநியோகமோ இறுக்கமாக உள்ளது

மைக்ரானின் தயாரிப்பு வளர்ச்சித் திட்டத்தில் 2026-இல் HBM4, 2027-இல் HBM4E, 2028-இல் HBM5, 2029-இல் HBM5E, 2030-இல் HBM6 இடம்பெற்றுள்ளன. உருவாகிவரும் செங்குத்து வடிவமைப்புகளுடன் இணைந்து, தரநிலை மற்றும் தனிப்பயனாக்கப்பட்ட தயாரிப்புகளை ஆண்டுதோறும் முன்னெடுக்க நிறுவனத்தின் திட்டமிட்டுள்ள வரிசையை இந்த அட்டவணை காட்டுகிறது.

தற்போதைய HBM4 ஏற்கெனவே அதிக அளவிலான உற்பத்தியில் இருப்பதாக மைக்ரான் கூறுகிறது. 12 நினைவக டைகள் கொண்ட ஒரு அடுக்கு 36 ஜிகாபைட் திறனையும், வினாடிக்கு 2.8 டெராபைட்டுக்கும் அதிகமான அலைவரிசையையும் வழங்குகிறது. ஒவ்வொரு பினிலும் வினாடிக்கு 11 ஜிகாபிட்டுக்கும் அதிகமான வேகத்தை இது கொண்டுள்ளது.

HBM3E-ஐவிட மின் செயல்திறன் 20%-க்கும் மேல் மேம்பட்டுள்ளதாக நிறுவனம் கூறுகிறது. 16 நினைவக டைகள், 48 ஜிகாபைட் திறன் கொண்ட பதிப்பின் மாதிரிகளையும் வாடிக்கையாளர்களுக்கு வழங்கி வருகிறது. தனிப்பயனாக்கப்பட்ட தயாரிப்புகளில் வாடிக்கையாளருக்கேற்ற நினைவக மற்றும் தருக்கச் செயல்பாடுகள் அடிப்படை டையில் இடம்பெறும் என எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. தரநிலை தயாரிப்புகளும் வரம்பில் தொடரும்.

2026-ஆம் ஆண்டுக்கான HBM விநியோகம் முழுமையாக விற்பனையாகிவிட்டதாக மைக்ரான் கூறுகிறது. 2027, 2028 ஆகிய ஆண்டுகளிலும் தேவையைவிட விநியோகம் குறைவாகவே இருக்கும் என தலைமைச் செயல் அதிகாரி சஞ்சய் மெஹ்ரோத்ரா எதிர்பார்க்கிறார். சிங்கப்பூரில் கூடுதல் தொகுப்பாக்கத் திறன் 2027-ஆம் ஆண்டின் முதல் பாதியில் பங்களிக்கும் என எதிர்பார்க்கப்படுகிறது.

AI அமைப்புகளைத் திட்டமிடும் வாங்குபவர்களுக்கு இந்த விநியோகக் கட்டுப்பாடுகள் முக்கியமானவை. அதிக நினைவக அலைவரிசை அமைப்பின் செயல்திறனை மேம்படுத்தக்கூடும். ஆனால் வாடிக்கையாளர்களுக்கு முன்கூட்டிக் கணிக்கக்கூடிய விநியோகம், கட்டுப்படுத்தக்கூடிய மின் நுகர்வு, அவர்களது பணிச்சுமைக்குப் போதிய திறன் ஆகியவையும் தேவை. வாடிக்கையாளர்களுடன் இணைந்து தயாரிப்புகளை உருவாக்குவதன் மூலம் இத்தேவைகளை ஒருங்கே பூர்த்தி செய்ய மைக்ரான் முயல்கிறது.

அதே வளர்ச்சித் திட்டம் தொலைபேசிகள், சர்வர்கள், சேமிப்பகத்தையும் எட்டுகிறது

மைக்ரானின் திட்டங்கள் HBM-ஐத் தாண்டியும் விரிகின்றன. LPDDR5-ஐவிட LPDDR6-இல் மின் செயல்திறன் சுமார் 35% மேம்படும் என நிறுவனம் கணிக்கிறது. சில திறன் அளவுகளில் இந்த மேம்பாடு இன்னும் அதிகமாக இருக்கும். LPDDR நினைவகம் கைப்பேசி சாதனங்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. அதன் மின் பண்புகள் காரணமாக தரவு மையங்களிலும் ஆர்வம் அதிகரித்து வருகிறது.

DDR5-ஐவிட DDR6 சுமார் இருமடங்கு அலைவரிசையை வழங்கும் நோக்கில் உருவாக்கப்படுகிறது. அண்மையில் 512 ஜிகாபைட் கொண்ட தொகுதியின் மாதிரியை வழங்கியதைத் தொடர்ந்து, 1 டெராபைட் திறன் கொண்ட சர்வர் RDIMM-ஐயும் மைக்ரான் திட்டமிட்டுள்ளது. பெரிய தொகுதிகள் சர்வர்களின் செயல்பாட்டு நினைவகத்தில் அதிக தகவல்களை வைத்திருக்க உதவும்.

மின்சாரம் துண்டிக்கப்பட்டாலும் சேமித்த தரவைத் தக்கவைக்கும் NAND ஃபிளாஷுக்காக, 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதியில் 11-ஆம் தலைமுறை உற்பத்தியை அதிகரிக்க மைக்ரான் இலக்கு வைத்துள்ளது. இந்த வடிவமைப்பு வேஃபர் பிணைப்பையும் 400-க்கும் மேற்பட்ட அடுக்குகளையும் பயன்படுத்துகிறது. 9-ஆம் தலைமுறையுடன் ஒப்பிடும்போது பிட் அடர்த்தி இருமடங்குக்கும் மேல் அதிகரிக்கும்; உள்ளீடு, வெளியீட்டு வேகம் 1.5 மடங்காகும்; ஒவ்வொரு பிட்டுக்குமான தரவு பரிமாற்ற ஆற்றல் 25%-க்கும் மேல் குறையும் என்று மைக்ரான் கூறுகிறது.

NAND துறையிலும் சீனப் போட்டி விரிவடைகிறது. இரண்டாம் காலாண்டில் உலகளாவிய NAND சந்தையில் யாங்ட்ஸே மெமரி டெக்னாலஜீஸின் பங்கு 14.2% என்றும், சாம்சங்கின் பங்கு 28.1% என்றும் ஓம்டியா தரவுகள் தெரிவிக்கின்றன. சீனாவுக்குள் YMTC 38.7% பங்குடன், சாம்சங்கின் 33.4%-ஐவிட முன்னிலையில் இருந்தது. NAND-இல் பல ஆண்டுகளாகச் செங்குத்துச் செல் அடுக்குமுறை பயன்படுத்தப்பட்டு வருகிறது. ஆனால் செல் வடிவமைப்பு காரணமாக DRAM-க்கு மாற்றம் மிகவும் கடினமானது.

செயல்படும் சிப்களும் உற்பத்திச் செலவுகளுமே போட்டியைத் தீர்மானிக்கும்

மைக்ரானின் முடிவு, 6F²-ஐ விரிவுபடுத்துதல், பிணைப்பை மேம்படுத்துதல், 3D கட்டமைப்புகளுக்குத் தயாராகுதல் ஆகியவற்றில் பொறியியல் முயற்சியைத் திருப்புகிறது. சிறிய செல் கட்டமைப்பை நம்பகமாகச் செயல்பட வைப்பதில் சாம்சங், எஸ்கே ஹைனிக்ஸ், CXMT ஆகியவை முயற்சி செய்கின்றன. இரு பாதைகளிலும் உற்பத்தி அபாயங்கள் உள்ளன.

4F²-க்கான சவால்களில் மின்தேக்கி இடைவெளி, மின்கசிவு, குறுகிய மின் இணைப்புகள், செங்குத்து டிரான்சிஸ்டர்களுக்குள் மின்சுமையைக் கட்டுப்படுத்துதல் ஆகியவை அடங்கும். பிணைப்பில் மிகத் துல்லியமான சீரமைப்பு தேவைப்படுகிறது. கூடுதல் உற்பத்திப் படிகள், மேம்பாட்டுச் செலவுகளை ஈடுகட்டும் அளவுக்கு செயல்படும் நினைவகத்தை உற்பத்தி செய்வதில்தான் நிதிப் பலன் உள்ளது.

எந்த உத்தியைப் பின்பற்றினாலும், உபகரண வழங்குநர்கள் மாறிவரும் தேவைகளைச் சந்திக்க வேண்டியுள்ளது. அணு அடுக்கு படிவேற்றம் மிக மெல்லிய பூச்சுகளை கட்டமைப்புகளின் மீது படியச் செய்கிறது. குறுகிய, ஆழமான வடிவங்களை உருவாக்க பொறித்தல் பொருட்களை அகற்றுகிறது. நினைவகக் கட்டமைப்புகள் உயரமாகவும் சிக்கலாகவும் வளரும்போது இவ்விரண்டும் முக்கியத்துவம் பெறுகின்றன.

விநியோகத் தட்டுப்பாடு, எதிர்கால சீன விரிவாக்கம் ஆகிய போட்டி வாய்ப்புகளுக்கு முதலீட்டாளர்கள் கடுமையாக எதிர்வினையாற்றியுள்ளனர். அக்டோபர் 16 அன்று, CXMT-யின் முன்னேற்றம் குறித்த கவலையால் மைக்ரான் பங்குகள் 3%-க்கும் அதிகமாகவும், எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் பங்குகள் 5%-க்கும் அதிகமாகவும் சரிந்தன. அக்டோபர் 21 அன்று தென்கொரிய வர்த்தகத்தில் சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ் பங்குகள் பின்னர் சுமார் 6% உயர்ந்தன. எதிர்பார்ப்புகள் எவ்வளவு விரைவாக மாறுகின்றன என்பதை இது காட்டுகிறது.

வாடிக்கையாளர்களுக்கு உடனடிக் கவலை வேறு: தங்கள் தயாரிப்புகளுக்குத் தேவையான நினைவகம் எவ்வளவு கிடைக்கும் என்பதே அது. தரவு மையங்களை நோக்கி உற்பத்தித் திறன் மாற்றப்படுவதால், 2027-இல் கணினிகள், திறன்பேசிகளுக்கான நினைவக விநியோகம் 20% முதல் 30% வரை குறையக்கூடும் என்று கீபேங்க் ஆய்வாளர் ஜான் வின் கணிக்கிறார். அவரது விலை கணிப்புகளில், 2026-ஆம் ஆண்டின் நான்காம் காலாண்டில் DRAM விலை 15% முதல் 20% வரை உயர்வதும், NAND விலை சுமார் 20% உயர்வதும் அடங்கும்.

அடுத்த உறுதியான மைல்கற்கள்: 2026 இறுதிக்குள் சர்வர் நினைவகத்தை அறிமுகப்படுத்தும் CXMT-யின் திட்டம், 2027 தொடக்கத்தில் மைக்ரானின் கூடுதல் தொகுப்பாக்கத் திறன் பங்களிப்பு, 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதியில் அதன் 1-டெல்டா மற்றும் 11-ஆம் தலைமுறை NAND உற்பத்தி அதிகரிப்பு. வாடிக்கையாளர் தகுதிச் சோதனை, செயல்படும் சிப்களின் உற்பத்தி, தயாரிப்புச் செலவு ஆகியவை போட்டித் திட்டங்கள் எவ்வாறு தயாரிப்புகளாக மாறுகின்றன என்பதைக் காட்டும்.

முக்கிய குறிப்புகள்

• 4F² DRAM-ஐ நிராகரித்து, 6F²-ஐ விரிவுபடுத்தவும், வேஃபர் பிணைப்பைச் சேர்க்கவும், 3D DRAM-ஐ உருவாக்கவும் மைக்ரான் முடிவெடுத்துள்ளது.
• போய்ஸில் 2027-ஆம் ஆண்டின் இரண்டாம் பாதியில் 1-டெல்டா DRAM-ஐப் பெருமளவில் உற்பத்தி செய்யத் திட்டமிடப்பட்டுள்ளது; அடர்த்தியை 20 சதவீதங்களின் நடுப்பகுதி அளவுக்கு உயர்த்த இலக்கு நிர்ணயிக்கப்பட்டுள்ளது.
• சாம்சங் மற்றும் எஸ்கே ஹைனிக்ஸ், பிணைப்பு மற்றும் நீண்டகால 3D DRAM பணிகளுடன், 4F² செங்குத்து டிரான்சிஸ்டர் கட்டமைப்புகளையும் ஆராய்கின்றன.
• 2026 இறுதிக்குள் 4F² சர்வர் நினைவகத்தை அறிமுகப்படுத்த CXMT இலக்கு வைத்துள்ளது; அதன் உற்பத்தி அளவு வெளியிடப்படவில்லை.
• அலைவரிசையை அதிகரிக்க, செயலிகளின் நேரடியாக மேலே நினைவகத்தை வைப்பதே செங்குத்து HBM-இன் நோக்கம்; வெப்ப மேலாண்மை இதில் முக்கியச் சவாலாகும்.
• 2030 வரை தொடர்ச்சியான HBM தலைமுறைகளை மைக்ரான் திட்டமிட்டுள்ளது. 2027, 2028 ஆகிய ஆண்டுகளிலும் நினைவக விநியோகம் இறுக்கமாக இருக்கும் என எதிர்பார்க்கிறது.